창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFD120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFD120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 780mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | *IRFD120 IRFD121 IRFD122 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFD120 | |
| 관련 링크 | IRFD, IRFD120 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E7R4CDAEL | 7.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E7R4CDAEL.pdf | |
![]() | AD6623XS | AD6623XS AD QFP | AD6623XS.pdf | |
![]() | T27-A350X | T27-A350X EPCOS DIP | T27-A350X.pdf | |
![]() | ACBQ20B470K | ACBQ20B470K KOA SSOP | ACBQ20B470K.pdf | |
![]() | T15N1024A | T15N1024A TEMTECH na | T15N1024A.pdf | |
![]() | NL252018T-R47K-S | NL252018T-R47K-S ORIGINAL 2K | NL252018T-R47K-S.pdf | |
![]() | SC9703EZ | SC9703EZ SC SOP8 | SC9703EZ.pdf | |
![]() | H03B | H03B ERL SMD or Through Hole | H03B.pdf | |
![]() | GIB2402 | GIB2402 VISHAY TO-263 | GIB2402.pdf | |
![]() | 20V3.3UFB | 20V3.3UFB ORIGINAL SMD or Through Hole | 20V3.3UFB.pdf | |
![]() | SC428406CDR2 | SC428406CDR2 MOT SOP | SC428406CDR2.pdf |