창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFD010PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFD010, IRFD012 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 860mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | *IRFD010PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFD010PBF | |
| 관련 링크 | IRFD01, IRFD010PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LP098F33CET | 9.8304MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP098F33CET.pdf | |
| CMSZ5247B BK | DIODE ZENER 17V 275MW SOT323 | CMSZ5247B BK.pdf | ||
![]() | 1331R-272J | 2.7µH Shielded Inductor 193mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 1331R-272J.pdf | |
![]() | RP73D2A14R3BTDF | RES SMD 14.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A14R3BTDF.pdf | |
![]() | CRCW12061K58FKEAHP | RES SMD 1.58K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12061K58FKEAHP.pdf | |
![]() | MSC1792 | MSC1792 MSC BGA | MSC1792.pdf | |
![]() | V16ZP | V16ZP ORIGINAL MSOP-8 | V16ZP.pdf | |
![]() | C68230Y-N2B | C68230Y-N2B TI DIP | C68230Y-N2B.pdf | |
![]() | THCS50E1H475MTF | THCS50E1H475MTF NIPPON SMD | THCS50E1H475MTF.pdf | |
![]() | SCN2661BC1N28K | SCN2661BC1N28K S DIP | SCN2661BC1N28K.pdf | |
![]() | LEDS2M-380-01 | LEDS2M-380-01 RIC SMD or Through Hole | LEDS2M-380-01.pdf | |
![]() | SPX1117M3-3.3-L/TR | SPX1117M3-3.3-L/TR EXAR SOT223 | SPX1117M3-3.3-L/TR.pdf |