창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBF30STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBF30S, SIHFBF30S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBF30STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFBF30S, IRFBF30STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 45J56R | RES 56 OHM 5W 5% AXIAL | 45J56R.pdf | |
![]() | T74LS164DI | T74LS164DI ST DIP-14P | T74LS164DI.pdf | |
![]() | STC90LE51RC | STC90LE51RC STC PDIP40LQFPPLCC | STC90LE51RC.pdf | |
![]() | PC817- | PC817- SHARP DIP-4 | PC817-.pdf | |
![]() | 433003050091 | 433003050091 FERROXCUBE SMD or Through Hole | 433003050091.pdf | |
![]() | FT531-JA2.8 | FT531-JA2.8 FT SOT-23 | FT531-JA2.8.pdf | |
![]() | S9B-ZR-SM4A-TB(LF)(SN) | S9B-ZR-SM4A-TB(LF)(SN) JST 9P | S9B-ZR-SM4A-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | C4217E | C4217E AD SOP3 | C4217E.pdf | |
![]() | NCB-H1806E600TR600F | NCB-H1806E600TR600F NIC SMD or Through Hole | NCB-H1806E600TR600F.pdf | |
![]() | ECHU1C183JXG | ECHU1C183JXG PANASONIC PBF | ECHU1C183JXG.pdf | |
![]() | DAN212K(AV) | DAN212K(AV) ROHM SOT23 | DAN212K(AV).pdf |