창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBF30 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBF30 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFBF30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBF30 | |
| 관련 링크 | IRFB, IRFBF30 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 402F36022IAT | 36MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36022IAT.pdf | |
![]() | CRCW12062K43FKEA | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062K43FKEA.pdf | |
![]() | CFM12JT1K00 | RES 1K OHM 1/2W 5% CF MINI | CFM12JT1K00.pdf | |
![]() | AD876JR-8-REEL | AD876JR-8-REEL ADI SMD or Through Hole | AD876JR-8-REEL.pdf | |
![]() | 2SC6046-T112-1 | 2SC6046-T112-1 ISAHAYA SOT-23 | 2SC6046-T112-1.pdf | |
![]() | JTH16104J4050H | JTH16104J4050H JOINSE SMD | JTH16104J4050H.pdf | |
![]() | STK6952 | STK6952 SANYO ZIP-14 | STK6952.pdf | |
![]() | T35219F | T35219F TOS SMD or Through Hole | T35219F.pdf | |
![]() | F27-03B | F27-03B N/A N A | F27-03B.pdf | |
![]() | LH79525NOM100AO | LH79525NOM100AO ORIGINAL SMD or Through Hole | LH79525NOM100AO.pdf | |
![]() | MS124-101MT | MS124-101MT Fenghua SMD | MS124-101MT.pdf | |
![]() | HAT2026R-RL-E | HAT2026R-RL-E RENESASHITACHI SOP8 | HAT2026R-RL-E.pdf |