창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBF20STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFBF20STRLPBF-ND IRFBF20STRLPBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFBF20STRLPBF | |
관련 링크 | IRFBF20S, IRFBF20STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CMR06F202JPDM | CMR MICA | CMR06F202JPDM.pdf | ||
416F48013AKT | 48MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013AKT.pdf | ||
IXYF30N450 | IGBT 450V | IXYF30N450.pdf | ||
CGY2100HL | CGY2100HL PHILIPS SMD or Through Hole | CGY2100HL.pdf | ||
34YZ021 | 34YZ021 CSI CSI | 34YZ021.pdf | ||
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85021-A71 | 85021-A71 ORIGINAL QFP | 85021-A71.pdf | ||
QS29FCT521CTQ | QS29FCT521CTQ QSI Call | QS29FCT521CTQ.pdf | ||
S-8241ABGMC-GBG-G | S-8241ABGMC-GBG-G SEIKO SOT-153 | S-8241ABGMC-GBG-G.pdf |