창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBF20SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFBF20SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBF20SPBF | |
| 관련 링크 | IRFBF2, IRFBF20SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| CDLL4133 | DIODE ZENER 87V 500MW DO213AB | CDLL4133.pdf | ||
![]() | RCL122530R1FKEG | RES SMD 30.1 OHM 2W 2512 WIDE | RCL122530R1FKEG.pdf | |
![]() | LT318LH | LT318LH LT CAN | LT318LH.pdf | |
![]() | JM-TGD10-30W | JM-TGD10-30W ORIGINAL SMD or Through Hole | JM-TGD10-30W.pdf | |
![]() | SCDR105B-560L-N | SCDR105B-560L-N CHILISIN SMD | SCDR105B-560L-N.pdf | |
![]() | SCN-2-45 | SCN-2-45 MINI SMD or Through Hole | SCN-2-45.pdf | |
![]() | SHV-08EN | SHV-08EN SANKEN SMD or Through Hole | SHV-08EN.pdf | |
![]() | LT9400 | LT9400 ORIGINAL SMD or Through Hole | LT9400.pdf | |
![]() | HU-1B4532-681JT | HU-1B4532-681JT ORIGINAL SMD or Through Hole | HU-1B4532-681JT.pdf | |
![]() | EFTP101LGN292ML50N | EFTP101LGN292ML50N NIPPON SMD or Through Hole | EFTP101LGN292ML50N.pdf | |
![]() | ASE22G04 | ASE22G04 ORIGINAL SMD or Through Hole | ASE22G04.pdf | |
![]() | SST3906T146 | SST3906T146 ROHM SMD or Through Hole | SST3906T146.pdf |