창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBE30LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBE30S,L, SiHFBE30S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFBE30LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBE30LPBF | |
| 관련 링크 | IRFBE3, IRFBE30LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ESMH401VEN391QQ50T | 390µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMH401VEN391QQ50T.pdf | |
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![]() | GL061F33CET | 6.144MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL061F33CET.pdf | |
![]() | 106MG10 | Magnet Rare Earth 0.400" Dia x 0.930" H (10.2mm x 23.6mm) | 106MG10.pdf | |
![]() | SPI-8757-3-4 | SPI-8757-3-4 SANYO SMD or Through Hole | SPI-8757-3-4.pdf | |
![]() | TCD41A1DN11ACXCO | TCD41A1DN11ACXCO UPEK BGA | TCD41A1DN11ACXCO.pdf | |
![]() | EP1284-01 | EP1284-01 SHUTTLE QFP | EP1284-01.pdf | |
![]() | ISL88387EIVZ-T | ISL88387EIVZ-T INTERSIL TSSOP | ISL88387EIVZ-T.pdf | |
![]() | F43 | F43 ROHM TSSOP-8 | F43.pdf | |
![]() | SKM400GB125D | SKM400GB125D SEMIKRON MODULE | SKM400GB125D.pdf | |
![]() | RS-06K163FT | RS-06K163FT FENGHUA SMD or Through Hole | RS-06K163FT.pdf | |
![]() | MS-300-2H | MS-300-2H MW SMD or Through Hole | MS-300-2H.pdf |