창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBE20L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBE20 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 54W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFBE20L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBE20L | |
| 관련 링크 | IRFB, IRFBE20L 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RS 1BV1 | DIODE GEN PURP 800V 700MA AXIAL | RS 1BV1.pdf | |
| IMS05EB5R6K | 5.6µH Shielded Molded Inductor 335mA 720 mOhm Max Axial | IMS05EB5R6K.pdf | ||
![]() | RM2012B-103/103-NWXL10 | RES ARRAY 2 RES 10K OHM 0805 | RM2012B-103/103-NWXL10.pdf | |
![]() | WW1JT1R20 | RES 1.2 OHM 1W 5% AXIAL | WW1JT1R20.pdf | |
![]() | KSD227-G | KSD227-G ORIGINAL TO-92 | KSD227-G.pdf | |
![]() | DAC9881SRGER | DAC9881SRGER TI NA | DAC9881SRGER.pdf | |
![]() | ATF001 | ATF001 ATECH DIP12 | ATF001.pdf | |
![]() | FBPC3501WN | FBPC3501WN MIC/HG BR-35WN | FBPC3501WN.pdf | |
![]() | C141A-A | C141A-A NEC SMD or Through Hole | C141A-A.pdf | |
![]() | ND10 | ND10 ORIGINAL 4P | ND10.pdf | |
![]() | LDC211G8817B-031 | LDC211G8817B-031 MURATA SMD or Through Hole | LDC211G8817B-031.pdf | |
![]() | PMC7340-PI | PMC7340-PI PMC BGA | PMC7340-PI.pdf |