창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBC40STRR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFBC40S,L, SiHFBC40S,L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFBC40STRR | |
관련 링크 | IRFBC4, IRFBC40STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F44033IDR | 44MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44033IDR.pdf | |
![]() | VS-1N3768R | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | VS-1N3768R.pdf | |
![]() | 2N918 | TRANS RF NPN 15V 50MA TO-72 | 2N918.pdf | |
![]() | MLG0402Q3N0ST000 | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q3N0ST000.pdf | |
![]() | SFR25H0004301JR500 | RES 4.3K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0004301JR500.pdf | |
![]() | LA4720 | LA4720 SANYO SIP10 | LA4720.pdf | |
![]() | CS9805AGP | CS9805AGP SAMSUNG DIP20 | CS9805AGP.pdf | |
![]() | PST3642NR | PST3642NR MITSUMI SOT23-5 | PST3642NR.pdf | |
![]() | sc70038cn | sc70038cn SC DIP | sc70038cn.pdf | |
![]() | FDL6282 | FDL6282 DATATRONIC ZIP | FDL6282.pdf | |
![]() | UJ206022(JSPUJ0001A) | UJ206022(JSPUJ0001A) N/A SMD or Through Hole | UJ206022(JSPUJ0001A).pdf |