창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC30ASTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC30AS,AL, SiHFBC30AS,AL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC30ASTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC30AS, IRFBC30ASTRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SWS300A7R5/CO2 | AC/DC CONVERTER 7.5V 300W | SWS300A7R5/CO2.pdf | |
![]() | NTH5G16P41B683J07TH | NTH5G16P41B683J07TH MURATA SMD or Through Hole | NTH5G16P41B683J07TH.pdf | |
![]() | 2064VE-100LT100 | 2064VE-100LT100 Lattice QFP | 2064VE-100LT100.pdf | |
![]() | F11130253600060 | F11130253600060 Cantherm SMD or Through Hole | F11130253600060.pdf | |
![]() | ZB4PD-42+ | ZB4PD-42+ Mini SMD or Through Hole | ZB4PD-42+.pdf | |
![]() | ELR-04NV | ELR-04NV JST SMD or Through Hole | ELR-04NV.pdf | |
![]() | NACY220M80V8X10.5TR13F | NACY220M80V8X10.5TR13F NICC SMT | NACY220M80V8X10.5TR13F.pdf | |
![]() | MAX3668EHJ+T | MAX3668EHJ+T ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX3668EHJ+T.pdf | |
![]() | LTABZ | LTABZ ORIGINAL SMD | LTABZ.pdf | |
![]() | 1008AS-R82K-01 | 1008AS-R82K-01 Fastron NA | 1008AS-R82K-01.pdf | |
![]() | LMX2531LQX2080E/NOPB | LMX2531LQX2080E/NOPB NS SO | LMX2531LQX2080E/NOPB.pdf | |
![]() | MLL4937TR | MLL4937TR ON CDIP | MLL4937TR.pdf |