홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IRFBC20STRR

Vishay BC Components IRFBC20STRR

IRFBC20STRR
제조업체 부품 번호
IRFBC20STRR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
IRFBC20STRR 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IRFBC20STRR 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. IRFBC20STRR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFBC20STRR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IRFBC20STRR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRFBC20STRR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFBC20STRR
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFBC20S,L, SiHFBC20S,L
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.4옴 @ 1.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds350pF @ 25V
전력 - 최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFBC20STRR
관련 링크IRFBC2, IRFBC20STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
IRFBC20STRR 의 관련 제품
MOSFET P-CH 60V 50A TO252 SUD50P06-15L-E3.pdf
RES 360 OHM 1/4W 1% AXIAL H8360RFZA.pdf
A733GR ORIGINAL SMD or Through Hole A733GR.pdf
SR155E474MAA AVX DIP SR155E474MAA.pdf
65039-031 FRAMATOMECONNECTORS ORIGINAL 65039-031.pdf
S405-0060-02 BEL SOP-8 S405-0060-02.pdf
M30600E8GP MITSUBISHI QFP-100 M30600E8GP.pdf
PHILIPS-EJV-21V150W PHILIPS SMD or Through Hole PHILIPS-EJV-21V150W.pdf
1715035 PHOEMNIX SMD or Through Hole 1715035.pdf
P44334 ORIGINAL SMD or Through Hole P44334.pdf
CED3055L CET TO251 CED3055L.pdf
H16119DF N/A DIP12 H16119DF.pdf