창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC20STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC20S,L, SiHFBC20S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC20STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC20S, IRFBC20STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ASEMCC1-ZR-T3 | 24MHz, 27MHz, 74.25MHz, 148.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMCC1-ZR-T3.pdf | |
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![]() | TNPW060315R8BETA | RES SMD 15.8 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060315R8BETA.pdf | |
![]() | E2A-M30KS15-M1-B3 | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M30 | E2A-M30KS15-M1-B3.pdf | |
![]() | 440073-1 | 440073-1 AMP SMD or Through Hole | 440073-1.pdf | |
![]() | tex32/JGAA130 | tex32/JGAA130 ST BGA | tex32/JGAA130.pdf | |
![]() | FM15TB-9 | FM15TB-9 ORIGINAL SMD or Through Hole | FM15TB-9.pdf | |
![]() | B3164UC | B3164UC LITTELFU SOP6 | B3164UC.pdf | |
![]() | DST9NC52A271Q52B | DST9NC52A271Q52B muRata DIP | DST9NC52A271Q52B.pdf | |
![]() | JM38510/65601BRA | JM38510/65601BRA TI DIP | JM38510/65601BRA.pdf | |
![]() | HSM107STC | HSM107STC HIT SOT23 | HSM107STC.pdf | |
![]() | F1772-433-2265 | F1772-433-2265 VISHAY DIP | F1772-433-2265.pdf |