창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB9N60APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB9N60A, SiHFB9N60A Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFB9N60APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB9N60APBF | |
관련 링크 | IRFB9N6, IRFB9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
F339MX221531JC02G0 | 1500pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX221531JC02G0.pdf | ||
V20E50P | VARISTOR 82V 10KA DISC 20MM | V20E50P.pdf | ||
1537-14J | 1.2µH Unshielded Molded Inductor 730mA 420 mOhm Max Axial | 1537-14J.pdf | ||
MMK10 224K100A01L4 BULK | MMK10 224K100A01L4 BULK EVOX RIFA SMD or Through Hole | MMK10 224K100A01L4 BULK.pdf | ||
LT6656BCS6-3#TRPBF | LT6656BCS6-3#TRPBF LT SOT23-6 | LT6656BCS6-3#TRPBF.pdf | ||
25AA020A-I/ST | 25AA020A-I/ST Microchip TSSOP-8 | 25AA020A-I/ST.pdf | ||
1231P100 | 1231P100 ON DIP-8 | 1231P100.pdf | ||
SMAJ51A-7P | SMAJ51A-7P MCC SMA | SMAJ51A-7P.pdf | ||
CAT24C256W-GT3 | CAT24C256W-GT3 CATALYST SMD or Through Hole | CAT24C256W-GT3.pdf | ||
SYDC-20-13HP+ | SYDC-20-13HP+ MINI SMD or Through Hole | SYDC-20-13HP+.pdf | ||
MSM80C88A-2GS-K | MSM80C88A-2GS-K OKI QFP | MSM80C88A-2GS-K.pdf | ||
5962-8757102YA | 5962-8757102YA AD SMD or Through Hole | 5962-8757102YA.pdf |