창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB7734PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(B,S,SL)7734PbF | |
| 주요제품 | IR - StrongIRFET™ Through-hole Power MOSFETs | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 183A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 290W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001565862 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB7734PBF | |
| 관련 링크 | IRFB77, IRFB7734PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TPSB226K010A0400 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1210 (3528 Metric) 400 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TPSB226K010A0400.pdf | |
![]() | CPF0603B220RE1 | RES SMD 220 OHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B220RE1.pdf | |
![]() | RT2010DKE07165RL | RES SMD 165 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07165RL.pdf | |
![]() | NX5032GA12.288MHZ | NX5032GA12.288MHZ NIHON 1812 | NX5032GA12.288MHZ.pdf | |
![]() | 4.7UF50V1210FZH | 4.7UF50V1210FZH ORIGINAL SMD or Through Hole | 4.7UF50V1210FZH.pdf | |
![]() | AD221R950 | AD221R950 AD SOP8 | AD221R950.pdf | |
![]() | NIN-PC1R0MTRF | NIN-PC1R0MTRF NIC SMD | NIN-PC1R0MTRF.pdf | |
![]() | 85266024430P | 85266024430P EMERSONCAVITEPH SMD or Through Hole | 85266024430P.pdf | |
![]() | UDZTE-17 7.5B | UDZTE-17 7.5B ROHM/ON/LRC SOD323 | UDZTE-17 7.5B.pdf | |
![]() | MV7744(T) | MV7744(T) OTHER SMD or Through Hole | MV7744(T).pdf | |
![]() | BD63940 | BD63940 ROHM DIPSOP | BD63940.pdf |