창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB7446GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB7446GPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3183pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 99W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001566710 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB7446GPBF | |
| 관련 링크 | IRFB744, IRFB7446GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-82-33E-49.152000Y | OSC XO 3.3V 49.152MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-49.152000Y.pdf | |
![]() | 750311783 | TRANS FLYBACK LT3748 20UH SMD | 750311783.pdf | |
![]() | Y008919K3000TR13L | RES 19.3K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y008919K3000TR13L.pdf | |
![]() | CSACV36.00MXJ040-TC | CSACV36.00MXJ040-TC MURATA SMD | CSACV36.00MXJ040-TC.pdf | |
![]() | PMB4722V2.4 | PMB4722V2.4 SIE QFP-144 | PMB4722V2.4.pdf | |
![]() | TIL4N28 | TIL4N28 TI DIP-6 | TIL4N28.pdf | |
![]() | AD5170BRMZ2.5-RL7 | AD5170BRMZ2.5-RL7 AD SMD or Through Hole | AD5170BRMZ2.5-RL7.pdf | |
![]() | SP10100C | SP10100C WILLAS TO-220F | SP10100C.pdf | |
![]() | P35/23 | P35/23 NEC SOT-23 | P35/23.pdf | |
![]() | AD8109ASTZ (LF) | AD8109ASTZ (LF) ADI LQFP-80 | AD8109ASTZ (LF).pdf |