창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB7437PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB7437PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFET Family | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001556080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB7437PBF | |
| 관련 링크 | IRFB74, IRFB7437PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1PMT5946/TR7 | DIODE ZENER 75V 3W DO216AA | 1PMT5946/TR7.pdf | |
![]() | NSV60200LT1G | TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 | NSV60200LT1G.pdf | |
![]() | Y008942R2000AR0L | RES 42.2 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y008942R2000AR0L.pdf | |
![]() | M6380P | M6380P MIT SOP | M6380P.pdf | |
![]() | TA4004F/U1 | TA4004F/U1 TOSHIBA SOT-153 | TA4004F/U1.pdf | |
![]() | CS8404A-SC | CS8404A-SC CS SOP | CS8404A-SC.pdf | |
![]() | DF18D-30DP-0.4V (51) | DF18D-30DP-0.4V (51) Hirose SMD or Through Hole | DF18D-30DP-0.4V (51).pdf | |
![]() | DW-02-08-S-D-312 | DW-02-08-S-D-312 HUBBELL SMD or Through Hole | DW-02-08-S-D-312.pdf | |
![]() | ITD7133LA70G | ITD7133LA70G IDT PGA | ITD7133LA70G.pdf | |
![]() | L88MS12S | L88MS12S SANYO SOT-252-5 | L88MS12S.pdf |