창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7437GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001575504 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB7437GPBF | |
관련 링크 | IRFB743, IRFB7437GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 06033A5R6CAT2A | 5.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A5R6CAT2A.pdf | |
![]() | TMK063CG020CP-F | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | TMK063CG020CP-F.pdf | |
![]() | TLP352(F) | 2.5A Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP | TLP352(F).pdf | |
![]() | CRGH0805F80K6 | RES SMD 80.6K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F80K6.pdf | |
![]() | LPC4325 | LPC4325 NXP QFP | LPC4325.pdf | |
![]() | H1-2417P-A | H1-2417P-A ORIGINAL DIP | H1-2417P-A.pdf | |
![]() | ST0345218025 | ST0345218025 ST SOP16 | ST0345218025.pdf | |
![]() | M27C256B-15F6L | M27C256B-15F6L ST DIP | M27C256B-15F6L.pdf | |
![]() | RG82870PZ | RG82870PZ INTEL BGA | RG82870PZ.pdf | |
![]() | 324-70857 | 324-70857 PHI PQFP44 | 324-70857.pdf | |
![]() | GM6603-2.5TB3T | GM6603-2.5TB3T GAMMA TO-220 | GM6603-2.5TB3T.pdf |