창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7430GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 460nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001554620 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB7430GPBF | |
관련 링크 | IRFB743, IRFB7430GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AR3PKHM3/87A | DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A | AR3PKHM3/87A.pdf | |
![]() | RC1005F4643CS | RES SMD 464K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F4643CS.pdf | |
![]() | RCS0603121KFKEA | RES SMD 121K OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603121KFKEA.pdf | |
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![]() | SKN1M220/04H1 | SKN1M220/04H1 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKN1M220/04H1.pdf | |
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![]() | IPP60R160C6-S | IPP60R160C6-S INFINEON SMD or Through Hole | IPP60R160C6-S.pdf | |
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![]() | SKR48F | SKR48F SEMIKRON SMD or Through Hole | SKR48F.pdf | |
![]() | IN-702 | IN-702 POWERLAB SSOP | IN-702.pdf | |
![]() | K9F5608UOB-YCB0 | K9F5608UOB-YCB0 SAM SMD or Through Hole | K9F5608UOB-YCB0.pdf | |
![]() | MM1701JTRE | MM1701JTRE MITSUMI TO-252 | MM1701JTRE.pdf |