창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB5615PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB5615PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB5615PBF Saber Model IRFB5615PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001575534 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB5615PBF | |
관련 링크 | IRFB56, IRFB5615PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B43584C5338M3 | 3300µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 32 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | B43584C5338M3.pdf | |
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![]() | 2474-36L | 820µH Unshielded Molded Inductor 420mA 1.98 Ohm Max Axial | 2474-36L.pdf | |
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![]() | RCP0505B360RGEC | RES SMD 360 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B360RGEC.pdf | |
![]() | M29W040B-120N1 | M29W040B-120N1 ST TSOP | M29W040B-120N1.pdf | |
![]() | HPI922YED53007.1-1 | HPI922YED53007.1-1 ORIGINAL sop8 | HPI922YED53007.1-1.pdf | |
![]() | DTZ TT11 5.6C | DTZ TT11 5.6C ROHM SMD or Through Hole | DTZ TT11 5.6C.pdf | |
![]() | VI-23Y-EV | VI-23Y-EV VICOR SMD or Through Hole | VI-23Y-EV.pdf | |
![]() | ASKHC2P04AC | ASKHC2P04AC ORIGINAL SMD or Through Hole | ASKHC2P04AC.pdf | |
![]() | LM2595T-ADJ/NOPB | LM2595T-ADJ/NOPB N/A SMD or Through Hole | LM2595T-ADJ/NOPB.pdf |