창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4710PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4710PBF Saber Model IRFB4710PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFB4710PBF SP001556118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4710PBF | |
관련 링크 | IRFB47, IRFB4710PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F25025CLT | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025CLT.pdf | |
![]() | MBRH200150 | DIODE MODULE 150V 200A D-67 | MBRH200150.pdf | |
![]() | RT0805BRE077K32L | RES SMD 7.32K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE077K32L.pdf | |
![]() | TE28F640J3A110 | TE28F640J3A110 INTEL TSSOP54 | TE28F640J3A110.pdf | |
![]() | MC10H125G | MC10H125G ON PLCC | MC10H125G.pdf | |
![]() | H31 | H31 ON N A | H31.pdf | |
![]() | CLAS83035IW | CLAS83035IW MT PLCC84 | CLAS83035IW.pdf | |
![]() | 74HC244DBT | 74HC244DBT NXP SMD or Through Hole | 74HC244DBT.pdf | |
![]() | ntcle203e3104hb | ntcle203e3104hb vishay SMD or Through Hole | ntcle203e3104hb.pdf | |
![]() | BDW43 | BDW43 MOT SMD or Through Hole | BDW43.pdf | |
![]() | SC74ET003BO01 | SC74ET003BO01 MOT BGA | SC74ET003BO01.pdf | |
![]() | FS30VS3 | FS30VS3 ORIGINAL SMD or Through Hole | FS30VS3.pdf |