창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4620PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4620PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4620PBF Saber Model IRFB4620PBF Spice Model | |
주요제품 | 150V and 200V HEXFET® Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001563998 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4620PBF | |
관련 링크 | IRFB46, IRFB4620PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT2512BKC0747RL | RES SMD 47 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKC0747RL.pdf | ||
TEESV1A106M8R | TEESV1A106M8R NEC A | TEESV1A106M8R.pdf | ||
TAS5142DKD(PTAS5142DKD) | TAS5142DKD(PTAS5142DKD) TI HSSOP-36 | TAS5142DKD(PTAS5142DKD).pdf | ||
LTC3210EUD-2#TRPBF | LTC3210EUD-2#TRPBF LINEAR QFN16 | LTC3210EUD-2#TRPBF.pdf | ||
PCF5079HK/F1 | PCF5079HK/F1 PHILIPS QFN | PCF5079HK/F1.pdf | ||
0402KRX7R9BB102 | 0402KRX7R9BB102 ORIGINAL SMD | 0402KRX7R9BB102.pdf | ||
175973-2 | 175973-2 AMP ROHS | 175973-2.pdf | ||
ZM10B10A01 | ZM10B10A01 Honeywell/Microswitch SMD or Through Hole | ZM10B10A01.pdf | ||
KTC3195-Y/P | KTC3195-Y/P KEC TO-92S | KTC3195-Y/P.pdf | ||
SC417909DW | SC417909DW MOTOROLA SMD7 2-28P | SC417909DW.pdf | ||
EP220DC-10A(d85c220- | EP220DC-10A(d85c220- ALTERA DIP | EP220DC-10A(d85c220-.pdf |