창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4620PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB4620PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4620PBF Saber Model IRFB4620PBF Spice Model | |
| 주요제품 | 150V and 200V HEXFET® Power MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72.5m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 144W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001563998 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4620PBF | |
| 관련 링크 | IRFB46, IRFB4620PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MC74F14DRZ | MC74F14DRZ MOTOROLA SOP | MC74F14DRZ.pdf | |
![]() | LM120K-5.0/883C | LM120K-5.0/883C NS TO-3 | LM120K-5.0/883C.pdf | |
![]() | 187D | 187D ORIGINAL SMD or Through Hole | 187D.pdf | |
![]() | 6257AFV | 6257AFV ORIGINAL SOP | 6257AFV.pdf | |
![]() | 1330A | 1330A PHI SSOP16 | 1330A.pdf | |
![]() | TSV994IDT | TSV994IDT ST SO-14 | TSV994IDT.pdf | |
![]() | 75ALS714A | 75ALS714A TI SOP | 75ALS714A.pdf | |
![]() | BUV11 | BUV11 ST TO-3 | BUV11.pdf | |
![]() | DF12E(4.0)-40DP-0.5V(81) | DF12E(4.0)-40DP-0.5V(81) HRS SMD | DF12E(4.0)-40DP-0.5V(81).pdf | |
![]() | E63544 | E63544 ORIGINAL TO220-3P | E63544.pdf | |
![]() | LNJ037X8b1mc | LNJ037X8b1mc PANASONIC SMD | LNJ037X8b1mc.pdf |