창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4615PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4615PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4615PBF Saber Model IRFB4615PBF Spice Model | |
주요제품 | 150V and 200V HEXFET® Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001565882 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4615PBF | |
관련 링크 | IRFB46, IRFB4615PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0402D220MXXAJ | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D220MXXAJ.pdf | ||
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P51-100-A-Y-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-Y-P-4.5V-000-000.pdf | ||
1231MHZ | 1231MHZ ORIGINAL FA01231-28 | 1231MHZ.pdf | ||
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NEC424210-60 | NEC424210-60 ORIGINAL SMD or Through Hole | NEC424210-60.pdf | ||
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FTLX8571D3BCL | FTLX8571D3BCL Finisar SMD or Through Hole | FTLX8571D3BCL.pdf |