창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4615PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4615PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4615PBF Saber Model IRFB4615PBF Spice Model | |
주요제품 | 150V and 200V HEXFET® Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001565882 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4615PBF | |
관련 링크 | IRFB46, IRFB4615PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | SQCB7M910GAJWE | 91pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M910GAJWE.pdf | |
![]() | C320C224K5R5CA | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C320C224K5R5CA.pdf | |
![]() | RT2512FKE072KL | RES SMD 2K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE072KL.pdf | |
![]() | 1W RED LED | 1W RED LED ORIGINAL SMD or Through Hole | 1W RED LED.pdf | |
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![]() | EMRL01-06 | EMRL01-06 FUJI SMD or Through Hole | EMRL01-06.pdf | |
![]() | RS1M#(LF) | RS1M#(LF) ORIGINAL SMD or Through Hole | RS1M#(LF).pdf | |
![]() | SBR2530 | SBR2530 microsemi DO-4 | SBR2530.pdf | |
![]() | CR2032SLF | CR2032SLF NA SMD or Through Hole | CR2032SLF.pdf | |
![]() | AP40T03H. | AP40T03H. APEC TO-252 | AP40T03H..pdf | |
![]() | GM71VS17803 | GM71VS17803 LG SMD or Through Hole | GM71VS17803.pdf |