창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4321PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB4321PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4321PBF Saber Model IRFB4321PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4460pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 350W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001577790 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4321PBF | |
| 관련 링크 | IRFB43, IRFB4321PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF553K6500DHR6 | RES 3.65K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF553K6500DHR6.pdf | |
![]() | CW0101R470KE12 | RES 1.47 OHM 13W 10% AXIAL | CW0101R470KE12.pdf | |
![]() | 6BP04-2-NI | 6BP04-2-NI ANALOG SMD or Through Hole | 6BP04-2-NI.pdf | |
![]() | HM6264ALFP-7 | HM6264ALFP-7 HIT SOP | HM6264ALFP-7 .pdf | |
![]() | QTC3216V-160 | QTC3216V-160 ORIGINAL SMD or Through Hole | QTC3216V-160.pdf | |
![]() | T6001 | T6001 SIEMENS SOP | T6001.pdf | |
![]() | AP3534 | AP3534 ACER DIP40 | AP3534.pdf | |
![]() | LANF72768 | LANF72768 DELTA SMD or Through Hole | LANF72768.pdf | |
![]() | KSS42S | KSS42S OTAX SMD or Through Hole | KSS42S.pdf | |
![]() | RJK03M3DPA-00-J5A | RJK03M3DPA-00-J5A RENESAS QFN | RJK03M3DPA-00-J5A.pdf | |
![]() | 2SC1881(K) | 2SC1881(K) HIT TO-220 | 2SC1881(K).pdf |