창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4110GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4110GPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 13/Jun/2014 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001556050 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4110GPBF | |
관련 링크 | IRFB411, IRFB4110GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1N1187 | DIODE GEN PURP 300V 35A DO5 | 1N1187.pdf | |
![]() | FDS6984AS | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC | FDS6984AS.pdf | |
![]() | Y00894K56000TR0L | RES 4.56K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00894K56000TR0L.pdf | |
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![]() | RN5VD59AA-TR | RN5VD59AA-TR RICOH SMD or Through Hole | RN5VD59AA-TR.pdf | |
![]() | 2N3868AS | 2N3868AS BelFuse SMD or Through Hole | 2N3868AS.pdf | |
![]() | NCR89C100A | NCR89C100A NCR PQFP | NCR89C100A.pdf | |
![]() | STW14NK60 | STW14NK60 ST TO-3P | STW14NK60.pdf | |
![]() | HT260BP5-DT | HT260BP5-DT HARVATEK SMD or Through Hole | HT260BP5-DT.pdf | |
![]() | RA351 | RA351 MCC/GOOD-ARK RA | RA351.pdf |