Infineon Technologies IRFB4110GPBF

IRFB4110GPBF
제조업체 부품 번호
IRFB4110GPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
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내부 부품 번호EIS-IRFB4110GPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFB4110GPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 13/Jun/2014
TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1513 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.5m옴 @ 75A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs210nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9620pF @ 50V
전력 - 최대370W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름SP001556050
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFB4110GPBF
관련 링크IRFB411, IRFB4110GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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