창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4103PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IRFB4103PBF | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO- | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4103PBF | |
| 관련 링크 | IRFB41, IRFB4103PBF 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | ATT-290M-01-SMA-02 | RF Attenuator 1dB ±0.3dB 0Hz ~ 18GHz 2W SMA In-Line Module | ATT-290M-01-SMA-02.pdf | |
![]() | SV60 | SV60 LUMBERG Call | SV60.pdf | |
![]() | L78M08C | L78M08C ST SMD or Through Hole | L78M08C.pdf | |
![]() | tlc7726C | tlc7726C TI SOP | tlc7726C.pdf | |
![]() | RB160L -40 (34) | RB160L -40 (34) ROHM SMD or Through Hole | RB160L -40 (34).pdf | |
![]() | M471B5673FH0-CH9 (DDR3/2G/1333/SO-DIMM) | M471B5673FH0-CH9 (DDR3/2G/1333/SO-DIMM) Samsung SMD or Through Hole | M471B5673FH0-CH9 (DDR3/2G/1333/SO-DIMM).pdf | |
![]() | NAND512W3M2AZC5E | NAND512W3M2AZC5E ORIGINAL SMD or Through Hole | NAND512W3M2AZC5E.pdf | |
![]() | ADSP2101-KP-80 | ADSP2101-KP-80 ADI PLCC68 | ADSP2101-KP-80.pdf |