창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB33N15DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFB33N15DPBF SP001566470 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB33N15DPBF | |
관련 링크 | IRFB33N, IRFB33N15DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | E92F451VNT222MCA5T | 2200µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 5 Lead 38 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 85°C | E92F451VNT222MCA5T.pdf | |
![]() | AF0603FR-0730RL | RES SMD 30 OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-0730RL.pdf | |
![]() | RCWL0805R160JMEA | RES SMD 0.16 OHM 5% 1/8W 0805 | RCWL0805R160JMEA.pdf | |
![]() | RNF12JTD24R0 | RES 24 OHM 1/2W 5% AXIAL | RNF12JTD24R0.pdf | |
![]() | MM3393DRRE | MM3393DRRE MIT SMD or Through Hole | MM3393DRRE.pdf | |
![]() | ERJ12RQF3R0U | ERJ12RQF3R0U panasonic SMD | ERJ12RQF3R0U.pdf | |
![]() | B32562J3125KG1 | B32562J3125KG1 EPCOS SMD or Through Hole | B32562J3125KG1.pdf | |
![]() | MS4066HS | MS4066HS ORIGINAL DIP14 | MS4066HS.pdf | |
![]() | SE837 | SE837 DENSO TSOP-48 | SE837.pdf | |
![]() | HFW8R-2STE1LF | HFW8R-2STE1LF FCI SMD | HFW8R-2STE1LF.pdf | |
![]() | SIL646CM100 | SIL646CM100 SILICON QFP | SIL646CM100.pdf |