창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB3306GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB3306GPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001555952 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB3306GPBF | |
| 관련 링크 | IRFB330, IRFB3306GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SRR0735A-120M | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 85 mOhm Max Nonstandard | SRR0735A-120M.pdf | |
![]() | Y16364K32000D0W | RES SMD 4.32KOHM 0.5% 1/10W 0603 | Y16364K32000D0W.pdf | |
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![]() | T3390 | T3390 ORIGINAL SMD or Through Hole | T3390.pdf | |
![]() | AM29DL323DB-90WDI | AM29DL323DB-90WDI AMD BGA | AM29DL323DB-90WDI.pdf | |
![]() | FAR-F5CP-836M50-D203-J | FAR-F5CP-836M50-D203-J Fujitsu SMD | FAR-F5CP-836M50-D203-J.pdf | |
![]() | 310CCU | 310CCU AT&T CDIP | 310CCU.pdf | |
![]() | LM6143AIM | LM6143AIM NS SOP-8 | LM6143AIM.pdf | |
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![]() | AD9618KR | AD9618KR AD SMD8 | AD9618KR.pdf | |
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