창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB3207PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB3207, IRFS(L)3207 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB3207PBF Saber Model IRFB3207PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB3207PBF SP001572410 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB3207PBF | |
| 관련 링크 | IRFB32, IRFB3207PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BYM11-600-E3/97 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | BYM11-600-E3/97.pdf | |
| NS12565T7R0NN | 7µH Shielded Wirewound Inductor 5.21A 19.44 mOhm Max Nonstandard | NS12565T7R0NN.pdf | ||
![]() | HA13405 | HA13405 HIT ZIP23 | HA13405.pdf | |
![]() | Voltage Detector | Voltage Detector JICHI SMD or Through Hole | Voltage Detector.pdf | |
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![]() | 43P-T601-203 | 43P-T601-203 VISHAYSPECTROL Original Package | 43P-T601-203.pdf | |
![]() | PS2533L1-1V | PS2533L1-1V NEC DIP4 | PS2533L1-1V.pdf | |
![]() | AD7543SD | AD7543SD AD DIP16 | AD7543SD.pdf | |
![]() | PSD55/08(55A800V) | PSD55/08(55A800V) GERMANY SMD or Through Hole | PSD55/08(55A800V).pdf |