창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB260NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB260NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 380W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB260NPBF SP001551726 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB260NPBF | |
| 관련 링크 | IRFB26, IRFB260NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206DRE07909KL | RES SMD 909K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07909KL.pdf | |
![]() | Y16243K90000T9W | RES SMD 3.9K OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y16243K90000T9W.pdf | |
![]() | HMC356LP3 TEL:82766440 | HMC356LP3 TEL:82766440 HITTITE QFN | HMC356LP3 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MCSC8542VTX600K | MCSC8542VTX600K MOTOROLA BGA | MCSC8542VTX600K.pdf | |
![]() | SN74S38 | SN74S38 TI SOP14 | SN74S38.pdf | |
![]() | MPE63M475-JR | MPE63M475-JR AVX SMD or Through Hole | MPE63M475-JR.pdf | |
![]() | ZX05-42MH-S+ | ZX05-42MH-S+ MINI SMD or Through Hole | ZX05-42MH-S+.pdf | |
![]() | M52777SP A | M52777SP A MITSUBISHI DIP52 | M52777SP A.pdf | |
![]() | AS9830418T | AS9830418T RAL SMD or Through Hole | AS9830418T.pdf | |
![]() | 1N3956 | 1N3956 ORIGINAL DIP SMD | 1N3956.pdf |