창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB18N50K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB18N50K Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 220W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFB18N50K | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB18N50K | |
| 관련 링크 | IRFB18, IRFB18N50K 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MA-506 22.1184M-G3: ROHS | 22.1184MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 22.1184M-G3: ROHS.pdf | |
![]() | SIT8209AI-22-33E-200.000000T | OSC XO 3.3V 200MHZ OE | SIT8209AI-22-33E-200.000000T.pdf | |
![]() | BHXXFB1WG-TR | BHXXFB1WG-TR ROHM SMD | BHXXFB1WG-TR.pdf | |
![]() | 8336PD | 8336PD ORIGINAL CDIP-16P | 8336PD.pdf | |
![]() | SPG8650A. | SPG8650A. EPSON DIP16 | SPG8650A..pdf | |
![]() | U4073B | U4073B TFK SOP | U4073B.pdf | |
![]() | 10LC4-06100B-03(CD65-1R0) | 10LC4-06100B-03(CD65-1R0) ORIGINAL 1K | 10LC4-06100B-03(CD65-1R0).pdf | |
![]() | 2SB241N | 2SB241N ORIGINAL CAN | 2SB241N.pdf | |
![]() | KIA55N06 | KIA55N06 KIA TO-220 | KIA55N06.pdf | |
![]() | PPS 0.015uF | PPS 0.015uF ORIGINAL SMD or Through Hole | PPS 0.015uF.pdf | |
![]() | FQI6N25 | FQI6N25 FSC TO-262 | FQI6N25.pdf |