창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB13N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB13N50A Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1910pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFB13N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB13N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFB13N, IRFB13N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237066393 | 0.039µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC237066393.pdf | |
![]() | LP221F33IDT | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP221F33IDT.pdf | |
![]() | UF5402 | UF5402 MIC SMD or Through Hole | UF5402.pdf | |
![]() | MC1388 | MC1388 MOTOROLA DIP40 | MC1388.pdf | |
![]() | ATMEL640 | ATMEL640 NA S0P8 | ATMEL640.pdf | |
![]() | T869N32TOF | T869N32TOF EUEPC module | T869N32TOF.pdf | |
![]() | R5400N102CA-TR-FA | R5400N102CA-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R5400N102CA-TR-FA.pdf | |
![]() | SAB8259A2P | SAB8259A2P SIEMENS DIP | SAB8259A2P.pdf | |
![]() | 216GS2BFA13H 7000 | 216GS2BFA13H 7000 ATI BGA | 216GS2BFA13H 7000.pdf | |
![]() | CG82NM10 S LGXX | CG82NM10 S LGXX INTEL SMD or Through Hole | CG82NM10 S LGXX.pdf | |
![]() | MX29F512TQC-70 | MX29F512TQC-70 ORIGINAL SOPDIP | MX29F512TQC-70.pdf |