창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB13N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB13N50A Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1910pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFB13N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB13N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFB13N, IRFB13N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27113CST | 27.12MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27113CST.pdf | |
![]() | RJK0451DPB-00#J5 | MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK | RJK0451DPB-00#J5.pdf | |
![]() | IS64LF6432-10TQA3- | IS64LF6432-10TQA3- ISSI SMD or Through Hole | IS64LF6432-10TQA3-.pdf | |
![]() | K306 | K306 ORIGINAL SOT-26 | K306.pdf | |
![]() | LCL6 | LCL6 LT DFN8 | LCL6.pdf | |
![]() | MAX1240BCSA | MAX1240BCSA MAXIM SOP8 | MAX1240BCSA.pdf | |
![]() | SSW4N90ATM | SSW4N90ATM FAIRCHILD TO263 | SSW4N90ATM.pdf | |
![]() | IZF7D | IZF7D TI SC70-6 | IZF7D.pdf | |
![]() | XC25F032 | XC25F032 XICOR SOP-8 | XC25F032.pdf | |
![]() | SW36DXC680 | SW36DXC680 WESTCODE SMD or Through Hole | SW36DXC680.pdf | |
![]() | EP20K100TI144-1X | EP20K100TI144-1X ALTERA SMD or Through Hole | EP20K100TI144-1X.pdf | |
![]() | K9F3208UOM-YCBO | K9F3208UOM-YCBO SAMSUNG TSOP | K9F3208UOM-YCBO.pdf |