창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z14STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9Z14STRR | |
| 관련 링크 | IRF9Z1, IRF9Z14STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | NOJW686M004RWJ | 68µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm ESR | NOJW686M004RWJ.pdf | |
![]() | 54ACT245DMQB/QS | 54ACT245DMQB/QS NS CDIP20 | 54ACT245DMQB/QS.pdf | |
![]() | 1N3830 | 1N3830 ORIGINAL DIP | 1N3830.pdf | |
![]() | AD847ANZ | AD847ANZ ADI DIP8 | AD847ANZ.pdf | |
![]() | MMFT2406-T1 | MMFT2406-T1 ON/ SOT-223 | MMFT2406-T1.pdf | |
![]() | TN2 5V | TN2 5V Panisonic SMD or Through Hole | TN2 5V.pdf | |
![]() | BISQS16B2002FS | BISQS16B2002FS BI SSOP16 | BISQS16B2002FS.pdf | |
![]() | 11-03-0016 | 11-03-0016 Molex SMD or Through Hole | 11-03-0016.pdf | |
![]() | KZP05 | KZP05 ORIGINAL SMD or Through Hole | KZP05.pdf | |
![]() | RVC-16V471MH10-R2 | RVC-16V471MH10-R2 ELNA SMD | RVC-16V471MH10-R2.pdf | |
![]() | 10ME8200CX | 10ME8200CX SANYO DIP | 10ME8200CX.pdf | |
![]() | MC68MH360EM33K. | MC68MH360EM33K. MOT QFP | MC68MH360EM33K..pdf |