창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z14PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z14 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9Z14PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z14PBF | |
관련 링크 | IRF9Z1, IRF9Z14PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AIB3-28E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIB3-28E.pdf | |
![]() | RW1S0BAR050FT | RES SMD 0.05 OHM 1% 1W J LEAD | RW1S0BAR050FT.pdf | |
![]() | AT28C64E-12JI | AT28C64E-12JI ATMEL PLCC-32 | AT28C64E-12JI.pdf | |
![]() | CS4329-KP EP | CS4329-KP EP CS DIP | CS4329-KP EP.pdf | |
![]() | AT27C256R-15DM | AT27C256R-15DM ORIGINAL SMD or Through Hole | AT27C256R-15DM.pdf | |
![]() | C2012Y5V1H474ZT | C2012Y5V1H474ZT TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1H474ZT.pdf | |
![]() | M74LS299P | M74LS299P MIT DIP | M74LS299P.pdf | |
![]() | 222238062332 | 222238062332 VISHAY DIP | 222238062332.pdf | |
![]() | 25-21/W1D-ANQHY/2A* | 25-21/W1D-ANQHY/2A* SMD SMD or Through Hole | 25-21/W1D-ANQHY/2A*.pdf | |
![]() | HC49US18.432MABJ-UB | HC49US18.432MABJ-UB CITIZEN SMD or Through Hole | HC49US18.432MABJ-UB.pdf |