창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z14LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRF9Z14LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9Z14LPBF | |
| 관련 링크 | IRF9Z1, IRF9Z14LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237935115 | 1.1µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237935115.pdf | |
![]() | WP793SRD/J4 | Red 640nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | WP793SRD/J4.pdf | |
![]() | PRG3216P-2102-B-T5 | RES SMD 21K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-2102-B-T5.pdf | |
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![]() | 9C54000010 | 9C54000010 TXC SMD or Through Hole | 9C54000010.pdf | |
![]() | BCM5328AOKQMM | BCM5328AOKQMM BROADCOM QFP | BCM5328AOKQMM.pdf | |
![]() | MMBZ5226B/3.3V | MMBZ5226B/3.3V FAIRCHILD SOT-23 | MMBZ5226B/3.3V.pdf | |
![]() | QS025LFN621-24-02 | QS025LFN621-24-02 IRC SSOP20 | QS025LFN621-24-02.pdf | |
![]() | R3111H181A-T1-F | R3111H181A-T1-F RICOH SOT-89 | R3111H181A-T1-F.pdf | |
![]() | K4S561633FL75 | K4S561633FL75 SAMSUNG BGA | K4S561633FL75.pdf | |
![]() | 522710479+ | 522710479+ MOLEX SMD or Through Hole | 522710479+.pdf |