창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z10PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z10 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF9Z10PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z10PBF | |
관련 링크 | IRF9Z1, IRF9Z10PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ECS-196.6-18-5PXEN-TR | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-196.6-18-5PXEN-TR.pdf | |
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![]() | ACASA100121001P100 | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 1206 | ACASA100121001P100.pdf | |
![]() | 4137-48V | 4137-48V ORIGINAL NULL | 4137-48V.pdf | |
![]() | LTC1052CN14 | LTC1052CN14 LT DIP14 | LTC1052CN14.pdf | |
![]() | M1489A1 | M1489A1 ALI QFP | M1489A1.pdf | |
![]() | LTC6906CS6/IS6/HS6 | LTC6906CS6/IS6/HS6 LTC SOT23-6 | LTC6906CS6/IS6/HS6.pdf | |
![]() | HOA1882-12 | HOA1882-12 HONEYWELL SMD or Through Hole | HOA1882-12.pdf | |
![]() | X0693GE | X0693GE SHARP DIP-64 | X0693GE.pdf | |
![]() | B37930-K5680-F60 | B37930-K5680-F60 EPCOS SMD or Through Hole | B37930-K5680-F60.pdf | |
![]() | MAX6318LHUK46CY-T | MAX6318LHUK46CY-T MAX A | MAX6318LHUK46CY-T.pdf |