창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z10PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z10 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF9Z10PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z10PBF | |
관련 링크 | IRF9Z1, IRF9Z10PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CMF5518K000BER670 | RES 18K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5518K000BER670.pdf | |
![]() | 16C74B-04/P | 16C74B-04/P ATMEL SMD or Through Hole | 16C74B-04/P.pdf | |
![]() | 9318PC | 9318PC FSC DIP-16 | 9318PC.pdf | |
![]() | RT1P237C-T12-1 | RT1P237C-T12-1 ISAHAYA SOT-23 | RT1P237C-T12-1.pdf | |
![]() | HIT5610-C | HIT5610-C ORIGINAL TO92NL | HIT5610-C.pdf | |
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![]() | FTLF8519P2BNL-HD | FTLF8519P2BNL-HD FINISAR SMD or Through Hole | FTLF8519P2BNL-HD.pdf | |
![]() | MPY12C18GN | MPY12C18GN moririca SMD or Through Hole | MPY12C18GN.pdf | |
![]() | TK11142CSCL-G | TK11142CSCL-G TOKO SOT23-5 | TK11142CSCL-G.pdf | |
![]() | FDB3652_NL | FDB3652_NL FSC TO-263 | FDB3652_NL.pdf | |
![]() | M8340109H3600GG | M8340109H3600GG IRC SMD or Through Hole | M8340109H3600GG.pdf | |
![]() | 2SD965T-TIP-J# | 2SD965T-TIP-J# ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD965T-TIP-J#.pdf |