창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z10 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF9Z10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z10 | |
관련 링크 | IRF9, IRF9Z10 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | EEU-TP1E392SB | 3900µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 20 mOhm 5000 Hrs @ 125°C | EEU-TP1E392SB.pdf | |
![]() | C0805C220C5GALTU | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C220C5GALTU.pdf | |
![]() | AD8677ARZ-REEL7 | AD8677ARZ-REEL7 ADI Call | AD8677ARZ-REEL7.pdf | |
![]() | HSM88WKTL / C4 | HSM88WKTL / C4 HITACHI SOT-23 | HSM88WKTL / C4.pdf | |
![]() | 10W 10R | 10W 10R ORIGINAL DIP | 10W 10R.pdf | |
![]() | 470UF400V(450) | 470UF400V(450) ORIGINAL SMD or Through Hole | 470UF400V(450).pdf | |
![]() | TT251N13KOF | TT251N13KOF EUPEC MODULE | TT251N13KOF.pdf | |
![]() | UPD8812CY | UPD8812CY NEC CDIP | UPD8812CY.pdf | |
![]() | BCS4J0681A0 | BCS4J0681A0 ORIGINAL SMD or Through Hole | BCS4J0681A0.pdf | |
![]() | E28F016SAD100 5V | E28F016SAD100 5V INTEL TSSOP | E28F016SAD100 5V.pdf | |
![]() | ISO35TDWRG4 | ISO35TDWRG4 TI ISO35TDWRG4 | ISO35TDWRG4.pdf | |
![]() | SS-10GL11 | SS-10GL11 Rohm SMD or Through Hole | SS-10GL11.pdf |