창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9Z10 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 43W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRF9Z10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9Z10 | |
| 관련 링크 | IRF9, IRF9Z10 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RT1210CRD07357RL | RES SMD 357 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07357RL.pdf | |
![]() | TNPW08053K90BEEN | RES SMD 3.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08053K90BEEN.pdf | |
![]() | CMF652M4900FKR6 | RES 2.49M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M4900FKR6.pdf | |
![]() | MMBT2222ALTG | MMBT2222ALTG ON SOP DIP | MMBT2222ALTG.pdf | |
![]() | GP2S94 | GP2S94 ORIGINAL SMD or Through Hole | GP2S94.pdf | |
![]() | PEB20320HV3.3R | PEB20320HV3.3R INFINEON QFP144 | PEB20320HV3.3R.pdf | |
![]() | STC89LE58RD+40I-PQFP | STC89LE58RD+40I-PQFP STC QFP-64 | STC89LE58RD+40I-PQFP.pdf | |
![]() | 2NBS16-TG2-103 | 2NBS16-TG2-103 BOURNS SOP-16 | 2NBS16-TG2-103.pdf | |
![]() | SPB100N03S2-03 | SPB100N03S2-03 Infineon TO-263 | SPB100N03S2-03.pdf | |
![]() | T3427600 | T3427600 AMPHENOL SMD or Through Hole | T3427600.pdf | |
![]() | CD4533 | CD4533 JRC SOP | CD4533.pdf | |
![]() | DS1330WP-100IND | DS1330WP-100IND MAXIM PWRCP | DS1330WP-100IND.pdf |