창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9640PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9640, SiHF9640 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9640PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9640PBF | |
관련 링크 | IRF964, IRF9640PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | LP111F23IET | 11.0592MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP111F23IET.pdf | |
![]() | AME8833AEIV180Z | AME8833AEIV180Z AME SOT-353 | AME8833AEIV180Z.pdf | |
![]() | DSP2G27 | DSP2G27 ORIGINAL SMD or Through Hole | DSP2G27.pdf | |
![]() | TC90A45P | TC90A45P TOSHIBA DIP | TC90A45P.pdf | |
![]() | C4468/A1965 | C4468/A1965 ORIGINAL TO-3P | C4468/A1965.pdf | |
![]() | RC48F4400P0VT00A | RC48F4400P0VT00A Numonyx TSOP | RC48F4400P0VT00A.pdf | |
![]() | RLS4150 TE-11 LL34 | RLS4150 TE-11 LL34 ROHM SMD or Through Hole | RLS4150 TE-11 LL34.pdf | |
![]() | TC7S00FU(T5LCANO) | TC7S00FU(T5LCANO) TOSHIBA SOT235 | TC7S00FU(T5LCANO).pdf | |
![]() | 20141 | 20141 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20141.pdf | |
![]() | ATT7059AU | ATT7059AU ORIGINAL SMD or Through Hole | ATT7059AU.pdf | |
![]() | EPM5130GM/883B | EPM5130GM/883B ALTERA PGA | EPM5130GM/883B.pdf | |
![]() | PX0833 | PX0833 BULGIN SMD or Through Hole | PX0833.pdf |