창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9640LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9640S,L, SiHF9640S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9640LPBF | |
| 관련 링크 | IRF964, IRF9640LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| 293D105X9025A2TE3 | 1µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 7.6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 293D105X9025A2TE3.pdf | ||
![]() | 173D476X9020YE3 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 20V Axial 0.280" Dia x 0.550" L (7.11mm x 13.97mm) | 173D476X9020YE3.pdf | |
![]() | BCV46,215 | TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT23 | BCV46,215.pdf | |
![]() | MP7533FQ | MP7533FQ DIP- PMI | MP7533FQ.pdf | |
![]() | 14DA-8M | 14DA-8M JST SMD or Through Hole | 14DA-8M.pdf | |
![]() | K4M5132PC | K4M5132PC ORIGINAL DIPSMD | K4M5132PC.pdf | |
![]() | EG-2103CA 150.0000M-PHRH | EG-2103CA 150.0000M-PHRH EPSON SMD or Through Hole | EG-2103CA 150.0000M-PHRH.pdf | |
![]() | ADP-2-8601 | ADP-2-8601 MCL SMD or Through Hole | ADP-2-8601.pdf | |
![]() | LQH3ERN101J01L | LQH3ERN101J01L MURATA SMD | LQH3ERN101J01L.pdf | |
![]() | MA-306 25.0000M-C0 | MA-306 25.0000M-C0 ORIGINAL SMD or Through Hole | MA-306 25.0000M-C0.pdf | |
![]() | LMC6134AIM | LMC6134AIM ORIGINAL SOP | LMC6134AIM.pdf |