창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9620L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9620 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9620L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9620L | |
| 관련 링크 | IRF9, IRF9620L 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | B43851A1107M | 100µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.8 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43851A1107M.pdf | |
![]() | TNPW06035K36BEEA | RES SMD 5.36KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06035K36BEEA.pdf | |
![]() | LN723 | LN723 NS DIP-14 | LN723.pdf | |
![]() | BSP315E | BSP315E SIEMENS SOT223 | BSP315E.pdf | |
![]() | M37775M7H-166GP | M37775M7H-166GP PCS QFP64 | M37775M7H-166GP.pdf | |
![]() | IRF842FI | IRF842FI ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF842FI.pdf | |
![]() | P83C575EHPN/CV5838 | P83C575EHPN/CV5838 NXP P83C575EHPN DIP40 TU | P83C575EHPN/CV5838.pdf | |
![]() | CMPDM3590TR | CMPDM3590TR Central SOT-23 | CMPDM3590TR.pdf | |
![]() | B3BPHSM4TBTLFSN | B3BPHSM4TBTLFSN JST SMD or Through Hole | B3BPHSM4TBTLFSN.pdf | |
![]() | LWM673-R1-4C-0-20 | LWM673-R1-4C-0-20 OSRAM SMDLED | LWM673-R1-4C-0-20.pdf | |
![]() | EP1S30F780CT | EP1S30F780CT ALTERA SMD or Through Hole | EP1S30F780CT.pdf | |
![]() | CL21C120JBAANN | CL21C120JBAANN SAMSUNG SMD | CL21C120JBAANN.pdf |