창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9610PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9610 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 900mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9610PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9610PBF | |
관련 링크 | IRF961, IRF9610PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SM6227JTR680 | RES SMD 0.68 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JTR680.pdf | |
![]() | 314370452 | 314370452 AMP SMD or Through Hole | 314370452.pdf | |
![]() | LP3202-A18B5F | LP3202-A18B5F LP SOT-23-5L | LP3202-A18B5F.pdf | |
![]() | GLP12-174M | GLP12-174M ORIGINAL SMD or Through Hole | GLP12-174M.pdf | |
![]() | SS5819 DO214 | SS5819 DO214 ORIGINAL SMD or Through Hole | SS5819 DO214.pdf | |
![]() | LG8020-50B8823CPNG4J72 | LG8020-50B8823CPNG4J72 LG DIP64 | LG8020-50B8823CPNG4J72.pdf | |
![]() | B270A-13 | B270A-13 DIODES DO214AC | B270A-13.pdf | |
![]() | M4-128N/64-10JNC | M4-128N/64-10JNC Lattice SMD or Through Hole | M4-128N/64-10JNC.pdf | |
![]() | KBA2338M | KBA2338M KB MSOP-8 | KBA2338M.pdf | |
![]() | DS1982-F5# | DS1982-F5# MAXIM CAN | DS1982-F5#.pdf | |
![]() | 1N4165B | 1N4165B N/A SMD or Through Hole | 1N4165B.pdf | |
![]() | LMX2541SQE2060EN | LMX2541SQE2060EN NSC SMD or Through Hole | LMX2541SQE2060EN.pdf |