창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9530STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9530S, SiHF9530S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 7.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRF9530STRLPBF-ND IRF9530STRLPBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9530STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF9530S, IRF9530STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1TNF4302U | RES SMD 43K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF4302U.pdf | |
![]() | V23818-M305-57 | V23818-M305-57 infineon SMD or Through Hole | V23818-M305-57.pdf | |
![]() | NCF50J2R7 | NCF50J2R7 NIC RES | NCF50J2R7.pdf | |
![]() | TAS5026APFG | TAS5026APFG TI TQFP | TAS5026APFG.pdf | |
![]() | 1608MJ120 ohm | 1608MJ120 ohm SANSUNG O603 | 1608MJ120 ohm.pdf | |
![]() | D65943GM061 | D65943GM061 NEC QFP | D65943GM061.pdf | |
![]() | BC550E6310 | BC550E6310 sie SMD or Through Hole | BC550E6310.pdf | |
![]() | 3116I.C | 3116I.C TI SOP8 | 3116I.C.pdf | |
![]() | SI5457DC | SI5457DC VISHAY SMD or Through Hole | SI5457DC.pdf | |
![]() | PT571506 | PT571506 ORIGINAL DIP | PT571506.pdf | |
![]() | NQ80C26/I | NQ80C26/I SEEQ PLCC | NQ80C26/I.pdf |