Infineon Technologies IRF9530NSTRLPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF9530NSTRLPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRF9530NSTRLPBF 가격 및 조달
가능 수량
9350 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 723.52051
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRF9530NSTRLPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRF9530NSTRLPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRF9530NSTRLPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRF9530NSTRLPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF9530NSTRLPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9530NSTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9530NSPbF(NLPbF) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRF9530NSTRLPBF-ND IRF9530NSTRLPBFTR SP001563796 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9530NSTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF9530NS, IRF9530NSTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRF9530NSTRLPBF 의 관련 제품
 | 4922-35H | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 4.31 Ohm Max 2-SMD | 4922-35H.pdf | |
 | TE750B15RJ | RES CHAS MNT 15 OHM 5% 750W | TE750B15RJ.pdf | |
 | RG3216P-5620-B-T1 | RES SMD 562 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5620-B-T1.pdf | |
| EP1WS33RJ | RES 33 OHM 1W 5% AXIAL | EP1WS33RJ.pdf | |
| APT40M42JN | APT40M42JN APT 1MOS 86A400V | APT40M42JN.pdf | |
| L-2100BASTXIM3 | L-2100BASTXIM3 NOKIA BGA | L-2100BASTXIM3.pdf | |
| WA3-220D12 | WA3-220D12 SANGUEI DIP | WA3-220D12.pdf | |
| N80286-20 | N80286-20 INTEL PLCC68 | N80286-20.pdf | |
| 800T-QA24G | 800T-QA24G Allen-Bradley SMD or Through Hole | 800T-QA24G.pdf | |
| UPD7756-302 | UPD7756-302 NEC DIP | UPD7756-302.pdf | |
| 1595-2 | 1595-2 KEY SMD or Through Hole | 1595-2.pdf | |
| SFC-224DMT | SFC-224DMT SANYOU SMD or Through Hole | SFC-224DMT.pdf |