창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9520STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9520S, SiHF9520S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9520STRLPBF | |
관련 링크 | IRF9520S, IRF9520STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM1556R1H7R6DZ01D | 7.6pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H7R6DZ01D.pdf | |
![]() | MNR14E0ABJ621 | RES ARRAY 4 RES 620 OHM 1206 | MNR14E0ABJ621.pdf | |
![]() | AMD-8384-OS8384WA | AMD-8384-OS8384WA AMD BGA | AMD-8384-OS8384WA.pdf | |
![]() | HY27US08281A-TPBC | HY27US08281A-TPBC HYNIX TSSOP | HY27US08281A-TPBC.pdf | |
![]() | DS1081LE+ | DS1081LE+ MAXIM TSSOP-8 | DS1081LE+.pdf | |
![]() | RD10S-T1(B2) | RD10S-T1(B2) NEC SOD323 | RD10S-T1(B2).pdf | |
![]() | BBEQ1021C | BBEQ1021C VITESSE QFN | BBEQ1021C.pdf | |
![]() | FSM327-T/R | FSM327-T/R Fox con | FSM327-T/R.pdf | |
![]() | 1721SYGCS530E2TR8 | 1721SYGCS530E2TR8 EVR SMD or Through Hole | 1721SYGCS530E2TR8.pdf | |
![]() | AF82801JIB SLB8R | AF82801JIB SLB8R INTEL BGA | AF82801JIB SLB8R.pdf | |
![]() | M30823MM-D01GP | M30823MM-D01GP MITSUBISHI TQFP | M30823MM-D01GP.pdf | |
![]() | BC847C-1GW-PHILIPS | BC847C-1GW-PHILIPS Philips SOT-23 | BC847C-1GW-PHILIPS.pdf |