창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9520SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9520S, SiHF9520S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9520SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9520SPBF | |
| 관련 링크 | IRF952, IRF9520SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | 445I23H24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23H24M57600.pdf | |
|  | Y0925500R000F0L | RES 500 OHM 8W 1% TO220-2 | Y0925500R000F0L.pdf | |
|  | SIL104R-3R8 | SIL104R-3R8 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIL104R-3R8.pdf | |
|  | AP163-317LF | AP163-317LF SKYWORS QFN-16 | AP163-317LF.pdf | |
|  | 29L800TA-90 | 29L800TA-90 FUJ BGA | 29L800TA-90.pdf | |
|  | 1808-15A | 1808-15A LITTELFUSE 15A1812 | 1808-15A.pdf | |
|  | 5-535542-5 | 5-535542-5 AMP SMD or Through Hole | 5-535542-5.pdf | |
|  | 859-8282LABFACILITY-IM-K-LCF | 859-8282LABFACILITY-IM-K-LCF ORIGINAL SMD or Through Hole | 859-8282LABFACILITY-IM-K-LCF.pdf | |
|  | HY50U121622BTP-M | HY50U121622BTP-M TSOP HY | HY50U121622BTP-M.pdf | |
|  | MBRF8200GA | MBRF8200GA ORIGINAL TO-220 | MBRF8200GA.pdf | |
|  | 2SA1341-TB-E | 2SA1341-TB-E SANYO SOT-23 | 2SA1341-TB-E.pdf |