창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9510SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9510S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9510SPBF | |
| 관련 링크 | IRF951, IRF9510SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BFC233915473 | 0.047µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC233915473.pdf | |
![]() | PE0603JRF570R05L | RES SMD 0.05 OHM 5% 1/2W 0603 | PE0603JRF570R05L.pdf | |
![]() | Y1624850R000Q0W | RES SMD 850 OHM 0.02% 1/5W 0805 | Y1624850R000Q0W.pdf | |
![]() | 0866BL15C200E | RF Balun 800MHz ~ 900MHz 50 / 200 Ohm 0805 (2012 Metric) | 0866BL15C200E.pdf | |
![]() | ELXZ6R3ETC151MEB5D | ELXZ6R3ETC151MEB5D Chemi-con NA | ELXZ6R3ETC151MEB5D.pdf | |
![]() | PTF10049 P3A | PTF10049 P3A INFINEON NA | PTF10049 P3A.pdf | |
![]() | CC33P | CC33P ORIGINAL SMD or Through Hole | CC33P.pdf | |
![]() | QE70809300230 | QE70809300230 NU SMD or Through Hole | QE70809300230.pdf | |
![]() | M29F002BB-120N6 | M29F002BB-120N6 ST TSOP32 | M29F002BB-120N6.pdf | |
![]() | S-80913CLNB-G6HT2G | S-80913CLNB-G6HT2G SII SC-82 | S-80913CLNB-G6HT2G.pdf |