창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9510SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9510S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9510SPBF | |
| 관련 링크 | IRF951, IRF9510SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 8Z-32.000MEEQ-T | 32MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-32.000MEEQ-T.pdf | |
![]() | BA159DGP-E3/73 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL | BA159DGP-E3/73.pdf | |
![]() | 108-473J | 47µH Unshielded Inductor 36mA 19 Ohm Max 2-SMD | 108-473J.pdf | |
![]() | MX2405S300 | MX2405S300 FDK DIP | MX2405S300.pdf | |
![]() | PMB4823R | PMB4823R INFIEON SSOP | PMB4823R.pdf | |
![]() | MS820 | MS820 ORIGINAL DIP | MS820.pdf | |
![]() | STLITEON99 | STLITEON99 ST SOP16 | STLITEON99.pdf | |
![]() | 4500-521-9671-16 | 4500-521-9671-16 LITE-ON SMD or Through Hole | 4500-521-9671-16.pdf | |
![]() | RN55D4022FB14 | RN55D4022FB14 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN55D4022FB14.pdf | |
![]() | FAN5182QSCC | FAN5182QSCC FAI SSOP20 | FAN5182QSCC.pdf | |
![]() | GD82547GI SLT62 | GD82547GI SLT62 INTEL BGA | GD82547GI SLT62.pdf |