창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9510PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9510PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9510PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9510PBF | |
관련 링크 | IRF951, IRF9510PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
BFC237890057 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC237890057.pdf | ||
PTZTE2513A | DIODE ZENER 13V 1W PMDS | PTZTE2513A.pdf | ||
LT1930CS8 | LT1930CS8 LT SMD or Through Hole | LT1930CS8.pdf | ||
STM32P10S0D KEMOTA | STM32P10S0D KEMOTA ST BGA | STM32P10S0D KEMOTA.pdf | ||
LM3S608-IQN50-C2T | LM3S608-IQN50-C2T TI SMD or Through Hole | LM3S608-IQN50-C2T.pdf | ||
140-A-111/05 | 140-A-111/05 WEC SMD or Through Hole | 140-A-111/05.pdf | ||
6853 492-839 | 6853 492-839 NULL SOP16 | 6853 492-839.pdf | ||
9015M.C-M5 | 9015M.C-M5 ORIGINAL SOT-23 | 9015M.C-M5.pdf | ||
RTXM179B-1 | RTXM179B-1 WTD SMD or Through Hole | RTXM179B-1.pdf | ||
LJ-H51SU5-E5-F | LJ-H51SU5-E5-F LANon SMD or Through Hole | LJ-H51SU5-E5-F.pdf | ||
HMI-65162/883Q | HMI-65162/883Q HARRIS CDIP | HMI-65162/883Q.pdf | ||
SDR0504K-681K-LF | SDR0504K-681K-LF coilmaster NA | SDR0504K-681K-LF.pdf |