창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9510PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9510PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9510PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9510PBF | |
관련 링크 | IRF951, IRF9510PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CLL4745A TR | DIODE ZENER 16V 1W MELF | CLL4745A TR.pdf | |
![]() | Y145414K0040T0L | RES 14.004K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y145414K0040T0L.pdf | |
![]() | Y001165R0000D0L | RES 65 OHM 1W 0.5% RADIAL | Y001165R0000D0L.pdf | |
![]() | CXK77S36R80AGB-4M | CXK77S36R80AGB-4M SONY BGA | CXK77S36R80AGB-4M.pdf | |
![]() | 281838-6 | 281838-6 TEConnectivity SMD or Through Hole | 281838-6.pdf | |
![]() | MC68HC908QY4CDM | MC68HC908QY4CDM FREESCALE SOP16 | MC68HC908QY4CDM.pdf | |
![]() | PS391EPE | PS391EPE PERICOM DIP-16 | PS391EPE.pdf | |
![]() | MDL6409 | MDL6409 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDL6409.pdf | |
![]() | 715P47392K | 715P47392K SBE DIP | 715P47392K.pdf | |
![]() | NPPN052FFKS-RC | NPPN052FFKS-RC SUL SMD or Through Hole | NPPN052FFKS-RC.pdf | |
![]() | 9003WD014 | 9003WD014 NEC DIP-18 | 9003WD014.pdf |