창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9510L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9510PBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9510L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9510L | |
| 관련 링크 | IRF9, IRF9510L 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26035IDR | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035IDR.pdf | |
![]() | CRCW12101R60FNTA | RES SMD 1.6 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101R60FNTA.pdf | |
![]() | MC14049UBFL | MC14049UBFL MC SOP5.2 | MC14049UBFL.pdf | |
![]() | STC11L16XE-35C-LQF | STC11L16XE-35C-LQF STC QFP44 | STC11L16XE-35C-LQF.pdf | |
![]() | M45PE20-VMN6P | M45PE20-VMN6P STM SOP8 | M45PE20-VMN6P.pdf | |
![]() | BR93L46FJ-WE2 | BR93L46FJ-WE2 ROHM SOP8 | BR93L46FJ-WE2.pdf | |
![]() | D-BZX84C9V1-7-F | D-BZX84C9V1-7-F DIODES SMD or Through Hole | D-BZX84C9V1-7-F.pdf | |
![]() | 2SD359. | 2SD359. MIT TO-220 | 2SD359..pdf | |
![]() | WL1271BYFFT | WL1271BYFFT TI ORIGIANL | WL1271BYFFT.pdf | |
![]() | MAX4581EUE+ | MAX4581EUE+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX4581EUE+.pdf | |
![]() | G96-229-B1 | G96-229-B1 NVIDIA BGA | G96-229-B1.pdf |