창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9410TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9410PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF9410 Saber Model IRF9410 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF9410PBFTR IRF9410TRPBF-ND IRF9410TRPBFTR-ND SP001551686 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9410TRPBF | |
관련 링크 | IRF9410, IRF9410TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
GRM3165C1H681JZ01J | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3165C1H681JZ01J.pdf | ||
ALSR1017K50FE12 | RES 17.5K OHM 7W 1% AXIAL | ALSR1017K50FE12.pdf | ||
RS600ME 216MEP6BLA12FG | RS600ME 216MEP6BLA12FG ATI BGA | RS600ME 216MEP6BLA12FG.pdf | ||
HD641300F16 | HD641300F16 HIT QFP | HD641300F16.pdf | ||
2N3741A | 2N3741A ORIGINAL TO-66 | 2N3741A.pdf | ||
ML61C442MR | ML61C442MR MDC SOT23 | ML61C442MR.pdf | ||
dsg101er | dsg101er ORIGINAL SMD or Through Hole | dsg101er.pdf | ||
1008AS-018G-01 | 1008AS-018G-01 Fastron NA | 1008AS-018G-01.pdf | ||
BCR192WE6327 | BCR192WE6327 IHFIHEOH NA | BCR192WE6327.pdf | ||
LM2733YMF | LM2733YMF NS SOT23-5 | LM2733YMF .pdf | ||
K8S5615ETA | K8S5615ETA SAMSUNG BGA | K8S5615ETA.pdf |